VS-SF50SA120 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: POWER MODULE, SINGLE SWITCH - SI
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59.2mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 7.11mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 1000 V
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3204.26 грн |
| 10+ | 2318.20 грн |
| 100+ | 2146.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-SF50SA120 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: POWER MODULE, SINGLE SWITCH - SI, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59.2mOhm @ 50A, 15V, Power Dissipation (Max): 238W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 7.11mA, Supplier Device Package: SOT-227, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): +19V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 1000 V.
Інші пропозиції VS-SF50SA120 за ціною від 2336.50 грн до 3751.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| VS-SF50SA120 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET Modules MODULES MOSFETS - SOT-227 SIC MOSFET |
на замовлення 160 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|