на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
24+ | 2689.3 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VUI30-12N1 IXYS
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; diode/transistor; 3-phase PFC; Urmax: 1.2kV; Ic: 65A, Type of module: IGBT, Semiconductor structure: diode/transistor, Topology: 3-phase PFC, Max. off-state voltage: 1.2kV, Collector current: 65A, Case: V1-A-Pack, Application: Inverter, Electrical mounting: FASTON connectors, Gate-emitter voltage: ±20V, Technology: FRED; NPT, Mechanical mounting: screw, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції VUI30-12N1
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
VUI30-12N1 | Виробник : IXYS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; 3-phase PFC; Urmax: 1.2kV; Ic: 65A Type of module: IGBT Semiconductor structure: diode/transistor Topology: 3-phase PFC Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 65A Case: V1-A-Pack Application: Inverter Electrical mounting: FASTON connectors Gate-emitter voltage: ±20V Technology: FRED; NPT Mechanical mounting: screw кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
VUI30-12N1 | Виробник : IXYS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; 3-phase PFC; Urmax: 1.2kV; Ic: 65A Type of module: IGBT Semiconductor structure: diode/transistor Topology: 3-phase PFC Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 65A Case: V1-A-Pack Application: Inverter Electrical mounting: FASTON connectors Gate-emitter voltage: ±20V Technology: FRED; NPT Mechanical mounting: screw |
товар відсутній |