W66AP6NBHAGJ TR Winbond Electronics
Виробник: Winbond ElectronicsDescription: IC DRAM 1GBIT LVSTL 100VFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 100-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC)
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4
Clock Frequency: 1.867 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 100-VFBGA (10x7.5)
Write Cycle Time - Word, Page: 18ns
Memory Interface: LVSTL_11
Access Time: 3.6 ns
Memory Organization: 64M x 16
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис W66AP6NBHAGJ TR Winbond Electronics
Description: IC DRAM 1GBIT LVSTL 100VFBGA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 100-VFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 1Gbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC), Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V, Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4, Clock Frequency: 1.867 GHz, Memory Format: DRAM, Supplier Device Package: 100-VFBGA (10x7.5), Write Cycle Time - Word, Page: 18ns, Memory Interface: LVSTL_11, Access Time: 3.6 ns, Memory Organization: 64M x 16.
Інші пропозиції W66AP6NBHAGJ TR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
W66AP6NBHAGJ TR | Виробник : Winbond |
DRAM 1Gb LPDDR4, x16, 1866MHz, -40C-105C, T&R |
товару немає в наявності |