WAS530M12BM3 Wolfspeed, Inc.
Виробник: Wolfspeed, Inc.Description: MOSFET 2N-CH 1200V 630A
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38900pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.47mOhm @ 530A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1362nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 127mA
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 77961.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис WAS530M12BM3 Wolfspeed, Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 630A, Packaging: Box, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge), Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: Silicon Carbide (SiC), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38900pF @ 800V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.47mOhm @ 530A, 15V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1362nC @ 15V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 127mA.
Інші пропозиції WAS530M12BM3 за ціною від 84606.39 грн до 84606.39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
WAS530M12BM3 | Виробник : Wolfspeed |
Discrete Semiconductor Modules BM3, 1200V, 530A SiCHalf-Bridge Module |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||
| WAS530M12BM3 | Виробник : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 630A 7-Pin |
товару немає в наявності |