Продукція > WAYON > WM02DH08D
WM02DH08D

WM02DH08D WAYON

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF85D298ADBDE820D6&compId=WM02DH08D.pdf?ci_sign=28e62b2ba27fa82af141b9f2530b25a3d8951001 Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 750/-660mA; 200mW; ESD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 750/-660mA
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 380/520mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1/2.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 2867 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
19+22.28 грн
57+6.82 грн
133+2.88 грн
148+2.59 грн
426+2.12 грн
1172+2.00 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис WM02DH08D WAYON

Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 750/-660mA; 200mW; ESD, Type of transistor: N/P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 20/-20V, Drain current: 750/-660mA, Power dissipation: 0.2W, Case: SOT363, Gate-source voltage: ±12V, On-state resistance: 380/520mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 1/2.2nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Version: ESD.