Продукція > WAYON > WM02DN080C
WM02DN080C

WM02DN080C WAYON

WM02DN080C.pdf
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 8A; Idm: 49A; 1.56W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.56W
Case: DFN2030-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 49A
On-state resistance: 15.5mΩ
Gate charge: 11nC
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
на замовлення 489 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+44.74 грн
25+16.79 грн
30+13.96 грн
100+13.21 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис WM02DN080C WAYON

Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 8A; Idm: 49A; 1.56W; ESD, Type of transistor: N-MOSFET x2, Polarisation: unipolar, Power dissipation: 1.56W, Case: DFN2030-6, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Drain current: 8A, Pulsed drain current: 49A, On-state resistance: 15.5mΩ, Gate charge: 11nC, Gate-source voltage: ±12V, Drain-source voltage: 20V, Version: ESD, Kind of channel: enhancement, Semiconductor structure: common drain.