Продукція > WAYON > WM02DN085C
WM02DN085C

WM02DN085C WAYON

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF85D261063CACC0D6&compId=WM02DN085C.pdf?ci_sign=c0f47102cdb03b3a3b7dc8a690bbaef529923f25 Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 8.5A; Idm: 56A; 1.56W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.56W
Case: DFN2030-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 10.9mΩ
Gate charge: 22.1nC
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 56A
Gate-source voltage: ±12V
Version: ESD
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+42.08 грн
26+15.63 грн
31+13.00 грн
100+12.36 грн
500+10.84 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис WM02DN085C WAYON

Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 8.5A; Idm: 56A; 1.56W; ESD, Type of transistor: N-MOSFET x2, Polarisation: unipolar, Power dissipation: 1.56W, Case: DFN2030-6, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, On-state resistance: 10.9mΩ, Gate charge: 22.1nC, Drain current: 8.5A, Pulsed drain current: 56A, Gate-source voltage: ±12V, Version: ESD, Drain-source voltage: 20V, Kind of channel: enhancement, Semiconductor structure: common drain, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції WM02DN085C за ціною від 11.48 грн до 50.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
WM02DN085C WM02DN085C Виробник : WAYON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF85D261063CACC0D6&compId=WM02DN085C.pdf?ci_sign=c0f47102cdb03b3a3b7dc8a690bbaef529923f25 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 8.5A; Idm: 56A; 1.56W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.56W
Case: DFN2030-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 10.9mΩ
Gate charge: 22.1nC
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 56A
Gate-source voltage: ±12V
Version: ESD
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.49 грн
16+19.48 грн
25+15.60 грн
100+14.83 грн
500+13.01 грн
3000+11.77 грн
6000+11.48 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.