WM02DN08T WAYON
Виробник: WAYONCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 800mA; Idm: 3A; 270mW; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.27W
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.25Ω
Gate charge: 1.1nC
Drain current: 0.8A
Pulsed drain current: 3A
Gate-source voltage: ±10V
Version: ESD
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 22.33 грн |
| 55+ | 7.34 грн |
| 92+ | 4.37 грн |
| 102+ | 3.95 грн |
| 500+ | 3.48 грн |
| 3000+ | 3.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис WM02DN08T WAYON
Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 800mA; Idm: 3A; 270mW; ESD, Type of transistor: N-MOSFET x2, Polarisation: unipolar, Power dissipation: 0.27W, Case: SOT563, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, On-state resistance: 0.25Ω, Gate charge: 1.1nC, Drain current: 0.8A, Pulsed drain current: 3A, Gate-source voltage: ±10V, Version: ESD, Drain-source voltage: 20V, Kind of channel: enhancement, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції WM02DN08T за ціною від 3.67 грн до 26.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
WM02DN08T | Виробник : WAYON |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 800mA; Idm: 3A; 270mW; ESD Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.27W Case: SOT563 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape On-state resistance: 0.25Ω Gate charge: 1.1nC Drain current: 0.8A Pulsed drain current: 3A Gate-source voltage: ±10V Version: ESD Drain-source voltage: 20V Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|