Продукція > WAYON > WM02DN08T
WM02DN08T

WM02DN08T WAYON

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF85D26CECC8F400D6&compId=WM02DN08T.pdf?ci_sign=1287f74d37080f45fe7319ee7eda57d4b8b7247b Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 800mA; Idm: 3A; 270mW; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.27W
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.25Ω
Version: ESD
Gate charge: 1.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 3A
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.8A
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+23.11 грн
53+7.36 грн
88+4.38 грн
100+3.97 грн
280+3.23 грн
768+3.05 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис WM02DN08T WAYON

Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 800mA; Idm: 3A; 270mW; ESD, Type of transistor: N-MOSFET x2, Polarisation: unipolar, Power dissipation: 0.27W, Case: SOT563, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, On-state resistance: 0.25Ω, Version: ESD, Gate charge: 1.1nC, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±10V, Pulsed drain current: 3A, Drain-source voltage: 20V, Drain current: 0.8A.