WM02DN08T WAYON
Виробник: WAYONCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 800mA; Idm: 3A; 270mW; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.8A
Pulsed drain current: 3A
Power dissipation: 0.27W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Gate charge: 1.1nC
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 22.54 грн |
| 55+ | 7.32 грн |
| 92+ | 4.38 грн |
| 103+ | 3.94 грн |
| 500+ | 3.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис WM02DN08T WAYON
Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 800mA; Idm: 3A; 270mW; ESD, Type of transistor: N-MOSFET x2, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 20V, Drain current: 0.8A, Pulsed drain current: 3A, Power dissipation: 0.27W, Case: SOT563, Gate-source voltage: ±10V, On-state resistance: 0.25Ω, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Version: ESD, Gate charge: 1.1nC, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції WM02DN08T за ціною від 3.72 грн до 27.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
WM02DN08T | Виробник : WAYON |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 800mA; Idm: 3A; 270mW; ESD Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.8A Pulsed drain current: 3A Power dissipation: 0.27W Case: SOT563 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.25Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Gate charge: 1.1nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2475 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|