Продукція > WAYON > WM02DN110C

WM02DN110C WAYON


WM02DN110C.pdf
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 11A; Idm: 70A; 1.56W; ESD
Mounting: SMD
Version: ESD
Drain current: 11A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: common drain
Case: DFN2030-6
On-state resistance: 7.5mΩ
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 1.56W
Gate charge: 23nC
Polarisation: unipolar
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+34.74 грн
23+18.44 грн
28+15.14 грн
100+13.40 грн
500+12.41 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 14-30 дні (днів)
Мінімальна партія: 13 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис WM02DN110C WAYON

Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 11A; Idm: 70A; 1.56W; ESD, Mounting: SMD, Version: ESD, Drain current: 11A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 20V, Type of transistor: N-MOSFET x2, Gate-source voltage: ±12V, Kind of package: reel; tape, Semiconductor structure: common drain, Case: DFN2030-6, On-state resistance: 7.5mΩ, Pulsed drain current: 70A, Power dissipation: 1.56W, Gate charge: 23nC, Polarisation: unipolar.