WM02DN110C WAYON
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 11A; Idm: 70A; 1.56W; ESD
Mounting: SMD
Version: ESD
Drain current: 11A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: common drain
Case: DFN2030-6
On-state resistance: 7.5mΩ
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 1.56W
Gate charge: 23nC
Polarisation: unipolar
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 34.74 грн |
| 23+ | 18.44 грн |
| 28+ | 15.14 грн |
| 100+ | 13.40 грн |
| 500+ | 12.41 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
14-30 дні (днів)
Мінімальна партія:
13 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис WM02DN110C WAYON
Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 11A; Idm: 70A; 1.56W; ESD, Mounting: SMD, Version: ESD, Drain current: 11A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 20V, Type of transistor: N-MOSFET x2, Gate-source voltage: ±12V, Kind of package: reel; tape, Semiconductor structure: common drain, Case: DFN2030-6, On-state resistance: 7.5mΩ, Pulsed drain current: 70A, Power dissipation: 1.56W, Gate charge: 23nC, Polarisation: unipolar.


