Продукція > WAYON > WM02DN560Q
WM02DN560Q

WM02DN560Q WAYON

WM02DN560Q.pdf
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 56A; Idm: 100A; 31W; ESD
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 31W
Gate charge: 27.8nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Drain current: 56A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: common drain
Case: DFN3030-8
On-state resistance: 5.4mΩ
на замовлення 369 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+57.01 грн
13+31.84 грн
25+28.62 грн
41+23.16 грн
112+21.92 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 14-30 дні (днів)
Мінімальна партія: 8 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис WM02DN560Q WAYON

Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 56A; Idm: 100A; 31W; ESD, Mounting: SMD, Pulsed drain current: 100A, Power dissipation: 31W, Gate charge: 27.8nC, Polarisation: unipolar, Version: ESD, Drain current: 56A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 20V, Type of transistor: N-MOSFET x2, Gate-source voltage: ±12V, Kind of package: reel; tape, Semiconductor structure: common drain, Case: DFN3030-8, On-state resistance: 5.4mΩ.