Продукція > WAYON > WM02DN560Q
WM02DN560Q

WM02DN560Q WAYON

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF85D281554C09A0D6&compId=WM02DN560Q.pdf?ci_sign=dc0b0f6d6eab42ff3805c9d40ebb62cc1af281c9 Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 56A; Idm: 100A; 31W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 31W
Case: DFN3030-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 5.4mΩ
Drain current: 56A
Pulsed drain current: 100A
Gate charge: 27.8nC
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+51.74 грн
14+28.91 грн
25+25.99 грн
45+20.56 грн
124+19.45 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис WM02DN560Q WAYON

Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 56A; Idm: 100A; 31W; ESD, Type of transistor: N-MOSFET x2, Polarisation: unipolar, Power dissipation: 31W, Case: DFN3030-8, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, On-state resistance: 5.4mΩ, Drain current: 56A, Pulsed drain current: 100A, Gate charge: 27.8nC, Gate-source voltage: ±12V, Drain-source voltage: 20V, Version: ESD, Kind of channel: enhancement, Semiconductor structure: common drain.