Результат пошуку "wm02n20g" : 1
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 20
В кошику
од. на суму грн.
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
WM02N20G | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; Idm: 8A; 350mW; SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 2A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 0.35W Case: SOT323 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 55mΩ Mounting: SMD Gate charge: 2.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
WM02N20G |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; Idm: 8A; 350mW; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; Idm: 8A; 350mW; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 22.32 грн |
59+ | 6.86 грн |
135+ | 2.97 грн |
193+ | 2.07 грн |
500+ | 1.87 грн |
596+ | 1.57 грн |
1640+ | 1.48 грн |