Результат пошуку "wm02n31m" : 1
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 20
В кошику
од. на суму грн.
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
WM02N31M | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.1A; Idm: 12.4A; 1W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 3.1A Pulsed drain current: 12.4A Power dissipation: 1W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 45mΩ Mounting: SMD Gate charge: 3.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2995 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| WM02N31M |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.1A; Idm: 12.4A; 1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.1A
Pulsed drain current: 12.4A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.1A; Idm: 12.4A; 1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.1A
Pulsed drain current: 12.4A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 22.01 грн |
| 59+ | 6.76 грн |
| 135+ | 2.92 грн |
| 193+ | 2.04 грн |
| 500+ | 1.85 грн |
| 596+ | 1.56 грн |
| 1640+ | 1.47 грн |