Результат пошуку "wm02p06g" : 1
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 18
В кошику
од. на суму грн.
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
WM02P06G | WAYON |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -660mA; Idm: -2.64A; 200mW Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -660mA Pulsed drain current: -2.64A Power dissipation: 0.2W Case: SOT323 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.52Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
на замовлення 1725 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
WM02P06G |
![]() |
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -660mA; Idm: -2.64A; 200mW
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -660mA
Pulsed drain current: -2.64A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -660mA; Idm: -2.64A; 200mW
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -660mA
Pulsed drain current: -2.64A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 1725 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
18+ | 24.90 грн |
40+ | 10.04 грн |
87+ | 4.59 грн |
207+ | 1.93 грн |
500+ | 1.74 грн |
638+ | 1.47 грн |