Результат пошуку "wm02p06l" : 1
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 19
В кошику
од. на суму грн.
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
WM02P06L | WAYON |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -660mA; Idm: -1.2A; 150mW Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -660mA Pulsed drain current: -1.2A Power dissipation: 0.15W Case: SOT523 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.52Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
на замовлення 2200 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
WM02P06L |
![]() |
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -660mA; Idm: -1.2A; 150mW
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -660mA
Pulsed drain current: -1.2A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT523
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -660mA; Idm: -1.2A; 150mW
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -660mA
Pulsed drain current: -1.2A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT523
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
19+ | 22.28 грн |
57+ | 6.82 грн |
131+ | 2.94 грн |
186+ | 2.06 грн |
500+ | 1.85 грн |
596+ | 1.51 грн |
1640+ | 1.43 грн |