Результат пошуку "wm02p160r" : 1
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 12
В кошику
од. на суму грн.
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
WM02P160R | WAYON |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -16A; Idm: -64A; 6.5W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -16A Pulsed drain current: -64A Power dissipation: 6.5W Case: DFN2020-6 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 17mΩ Mounting: SMD Gate charge: 28nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
WM02P160R |
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -16A; Idm: -64A; 6.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -16A
Pulsed drain current: -64A
Power dissipation: 6.5W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -16A; Idm: -64A; 6.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -16A
Pulsed drain current: -64A
Power dissipation: 6.5W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
12+ | 38.17 грн |
32+ | 12.37 грн |
40+ | 9.92 грн |
100+ | 9.37 грн |
126+ | 7.33 грн |
346+ | 6.93 грн |