Результат пошуку "wm03dn06d" : 1

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
WM03DN06D WM03DN06D WAYON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF85D1A1760E9D40D6&compId=WM03DN06D.pdf?ci_sign=c04aafe2cc87b2fb7f3eff086fee18f6c76375fd Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 600mA; Idm: 1.8A; 300mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.6A
Pulsed drain current: 1.8A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 450pC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+24.04 грн
53+7.57 грн
125+3.19 грн
140+2.86 грн
389+2.42 грн
1069+2.28 грн
3000+2.27 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
WM03DN06D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF85D1A1760E9D40D6&compId=WM03DN06D.pdf?ci_sign=c04aafe2cc87b2fb7f3eff086fee18f6c76375fd
WM03DN06D
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 600mA; Idm: 1.8A; 300mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.6A
Pulsed drain current: 1.8A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 450pC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+24.04 грн
53+7.57 грн
125+3.19 грн
140+2.86 грн
389+2.42 грн
1069+2.28 грн
3000+2.27 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.