Продукція > WAYON > WM03DN06D
WM03DN06D

WM03DN06D WAYON

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF85D1A1760E9D40D6&compId=WM03DN06D.pdf?ci_sign=c04aafe2cc87b2fb7f3eff086fee18f6c76375fd Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 600mA; Idm: 1.8A; 300mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.6A
Pulsed drain current: 1.8A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 450pC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+23.70 грн
53+7.47 грн
125+3.14 грн
140+2.82 грн
389+2.38 грн
1069+2.25 грн
3000+2.24 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис WM03DN06D WAYON

Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 600mA; Idm: 1.8A; 300mW, Type of transistor: N-MOSFET x2, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 0.6A, Pulsed drain current: 1.8A, Power dissipation: 0.3W, Case: SOT363, Gate-source voltage: ±12V, On-state resistance: 0.5Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 450pC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Version: ESD.