Продукція > WAYON > WM03N01G
WM03N01G

WM03N01G WAYON

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF85D1EBD1DF30E0D6&compId=WM03N01G.pdf?ci_sign=d9e094b8f313904af995ee5de07fa9a39f2578ae Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100mA; Idm: 0.4A; 350mW; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.1A
Pulsed drain current: 0.4A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 540pC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 2895 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+24.49 грн
40+9.88 грн
87+4.52 грн
207+1.90 грн
500+1.71 грн
638+1.44 грн
1755+1.36 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис WM03N01G WAYON

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100mA; Idm: 0.4A; 350mW; SOT323, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 0.1A, Pulsed drain current: 0.4A, Power dissipation: 0.35W, Case: SOT323, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 2.5Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 540pC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Version: ESD.