WM04P56M2

WM04P56M2 WAYON


Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -5.6A; Idm: -22.4A; 2W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -5.6A
Pulsed drain current: -22.4A
Power dissipation: 2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис WM04P56M2 WAYON

Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -5.6A; Idm: -22.4A; 2W; SOT23, Type of transistor: P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -40V, Drain current: -5.6A, Pulsed drain current: -22.4A, Power dissipation: 2W, Case: SOT23, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 50mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 17.5nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції WM04P56M2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
WM04P56M2 WM04P56M2 Виробник : WAYON Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -5.6A; Idm: -22.4A; 2W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -5.6A
Pulsed drain current: -22.4A
Power dissipation: 2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.