WM05P02G WAYON


WM05P02G.pdf
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -200mA; Idm: -0.8A; 300mW
Case: SOT323
Power dissipation: 0.3W
Gate charge: 1.5nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Drain current: -200mA
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -50V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance:
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -0.8A
на замовлення 2486 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+28.26 грн
39+11.09 грн
84+5.08 грн
200+2.12 грн
500+1.91 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 14-30 дні (днів)
Мінімальна партія: 17 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис WM05P02G WAYON

Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -200mA; Idm: -0.8A; 300mW, Case: SOT323, Power dissipation: 0.3W, Gate charge: 1.5nC, Polarisation: unipolar, Version: ESD, Drain current: -200mA, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: -50V, Type of transistor: P-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, Kind of package: reel; tape, On-state resistance: 3Ω, Mounting: SMD, Pulsed drain current: -0.8A.