WM10N20M

WM10N20M WAYON


Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2A; Idm: 8A; 1.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2327 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+25.41 грн
48+8.26 грн
113+3.49 грн
161+2.45 грн
500+2.20 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис WM10N20M WAYON

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2A; Idm: 8A; 1.2W; SOT23, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 2A, Pulsed drain current: 8A, Power dissipation: 1.2W, Case: SOT23, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.28Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 5.3nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції WM10N20M за ціною від 2.03 грн до 30.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
WM10N20M WM10N20M Виробник : WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2A; Idm: 8A; 1.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2327 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+30.49 грн
29+10.29 грн
68+4.19 грн
100+2.93 грн
500+2.64 грн
3000+2.10 грн
6000+2.03 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.