WM10N20M

WM10N20M WAYON


Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2A; Idm: 8A; 1.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 5.3nC
Pulsed drain current: 8A
на замовлення 2322 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+26.55 грн
48+8.71 грн
111+3.71 грн
160+2.57 грн
500+2.33 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис WM10N20M WAYON

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2A; Idm: 8A; 1.2W; SOT23, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 2A, Power dissipation: 1.2W, Case: SOT23, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.28Ω, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Gate charge: 5.3nC, Pulsed drain current: 8A, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції WM10N20M за ціною від 2.15 грн до 31.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
WM10N20M WM10N20M Виробник : WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2A; Idm: 8A; 1.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 5.3nC
Pulsed drain current: 8A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2322 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.86 грн
29+10.86 грн
67+4.46 грн
100+3.09 грн
500+2.79 грн
3000+2.22 грн
6000+2.15 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.