WM10N35M3

WM10N35M3 WAYON


WM10N35M3.pdf Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; Idm: 14A; 2W; SOT23-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 2W
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 21nC
Pulsed drain current: 14A
на замовлення 2966 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+36.38 грн
35+11.87 грн
58+7.17 грн
100+6.43 грн
500+5.69 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис WM10N35M3 WAYON

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; Idm: 14A; 2W; SOT23-6, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 3.5A, Power dissipation: 2W, Case: SOT23-6, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.1Ω, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Gate charge: 21nC, Pulsed drain current: 14A, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції WM10N35M3 за ціною від 5.93 грн до 43.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
WM10N35M3 WM10N35M3 Виробник : WAYON WM10N35M3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; Idm: 14A; 2W; SOT23-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 2W
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 21nC
Pulsed drain current: 14A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2966 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.66 грн
21+14.79 грн
35+8.60 грн
100+7.71 грн
500+6.82 грн
3000+6.13 грн
6000+5.93 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.