WM10N35M3 WAYON
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; Idm: 14A; 2W; SOT23-6
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 2W
Gate charge: 21nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 3.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23-6
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 42.33 грн |
| 32+ | 13.59 грн |
| 53+ | 8.20 грн |
| 100+ | 7.35 грн |
| 165+ | 5.98 грн |
| 453+ | 5.64 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
14-30 дні (днів)
Мінімальна партія:
11 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис WM10N35M3 WAYON
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; Idm: 14A; 2W; SOT23-6, Pulsed drain current: 14A, Power dissipation: 2W, Gate charge: 21nC, Polarisation: unipolar, Drain current: 3.5A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 100V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, Kind of package: reel; tape, Case: SOT23-6, On-state resistance: 0.1Ω, Mounting: SMD.