Результат пошуку "wm10p20m2" : 1
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 12
В кошику
од. на суму грн.
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
WM10P20M2 | WAYON |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -2A; Idm: -8A; 2.2W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -2A Pulsed drain current: -8A Power dissipation: 2.2W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.31Ω Mounting: SMD Gate charge: 15nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2998 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
WM10P20M2 |
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -2A; Idm: -8A; 2.2W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -2A
Pulsed drain current: -8A
Power dissipation: 2.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -2A; Idm: -8A; 2.2W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -2A
Pulsed drain current: -8A
Power dissipation: 2.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
12+ | 35.55 грн |
33+ | 12.18 грн |
46+ | 8.57 грн |
100+ | 7.62 грн |
144+ | 6.45 грн |
396+ | 6.13 грн |