Результат пошуку "wm12n35m2" : 1
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 13
В кошику
од. на суму грн.
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
WM12N35M2 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 3.5A; Idm: 14A; 2.5W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 120V Drain current: 3.5A Pulsed drain current: 14A Power dissipation: 2.5W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.17Ω Mounting: SMD Gate charge: 14nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
WM12N35M2 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 3.5A; Idm: 14A; 2.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 3.5A; Idm: 14A; 2.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
13+ | 35.20 грн |
35+ | 11.40 грн |
58+ | 6.92 грн |
100+ | 6.15 грн |
180+ | 5.23 грн |
494+ | 4.94 грн |
3000+ | 4.89 грн |