Результат пошуку "wmb023n03lg2" : 1
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 8
В кошику
од. на суму грн.
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
WMB023N03LG2 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 67A; Idm: 251A; 49W; PDFN5060-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 67A Pulsed drain current: 251A Power dissipation: 49W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 21.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 198 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| WMB023N03LG2 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 67A; Idm: 251A; 49W; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 67A
Pulsed drain current: 251A
Power dissipation: 49W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 67A; Idm: 251A; 49W; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 67A
Pulsed drain current: 251A
Power dissipation: 49W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 53.44 грн |
| 12+ | 34.42 грн |
| 25+ | 31.11 грн |
| 39+ | 24.34 грн |
| 105+ | 23.00 грн |