Продукція > WAYON > WMB040N08HGS
WMB040N08HGS

WMB040N08HGS WAYON

Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 130A; Idm: 520A; 122.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 520A
Power dissipation: 122.5W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+75.57 грн
10+66.18 грн
25+59.01 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис WMB040N08HGS WAYON

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 130A; Idm: 520A; 122.5W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 80V, Drain current: 130A, Pulsed drain current: 520A, Power dissipation: 122.5W, Case: PDFN5060-8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 4mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 78.5nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції WMB040N08HGS за ціною від 61.24 грн до 90.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
WMB040N08HGS WMB040N08HGS Виробник : WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 130A; Idm: 520A; 122.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 520A
Power dissipation: 122.5W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.68 грн
10+82.47 грн
25+70.81 грн
100+65.07 грн
500+63.15 грн
3000+61.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.