Продукція > WAYON > WMB043N10LGS
WMB043N10LGS

WMB043N10LGS WAYON

Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 131.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 131.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 111.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+66.98 грн
10+59.17 грн
25+52.47 грн
100+48.64 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис WMB043N10LGS WAYON

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 131.6W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 120A, Pulsed drain current: 480A, Power dissipation: 131.6W, Case: PDFN5060-8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 4.5mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 111.2nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції WMB043N10LGS за ціною від 54.54 грн до 80.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
WMB043N10LGS WMB043N10LGS Виробник : WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 131.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 131.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 111.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+80.38 грн
10+73.73 грн
25+62.96 грн
100+58.37 грн
500+56.45 грн
3000+54.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.