WMB060N08LG2 WAYON
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 98A; Idm: 310A; 96W; PDFN5060-8
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 310A
Power dissipation: 96W
Gate charge: 45nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 98A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: PDFN5060-8
On-state resistance: 6mΩ
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 69.48 грн |
| 10+ | 49.96 грн |
| 25+ | 47.39 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
14-30 дні (днів)
Мінімальна партія:
7 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис WMB060N08LG2 WAYON
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 98A; Idm: 310A; 96W; PDFN5060-8, Mounting: SMD, Pulsed drain current: 310A, Power dissipation: 96W, Gate charge: 45nC, Polarisation: unipolar, Drain current: 98A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 80V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, Kind of package: reel; tape, Case: PDFN5060-8, On-state resistance: 6mΩ.