Продукція > WAYON > WMB080N03LG2
WMB080N03LG2

WMB080N03LG2 WAYON


Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 25.5A; Idm: 168A; 30.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 25.5A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 30.4W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+33.49 грн
28+14.75 грн
33+12.28 грн
100+11.64 грн
500+10.29 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис WMB080N03LG2 WAYON

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 25.5A; Idm: 168A; 30.4W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 25.5A, Pulsed drain current: 168A, Power dissipation: 30.4W, Case: PDFN5060-8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 12mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 7nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції WMB080N03LG2 за ціною від 10.81 грн до 40.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
WMB080N03LG2 WMB080N03LG2 Виробник : WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 25.5A; Idm: 168A; 30.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 25.5A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 30.4W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+40.19 грн
17+18.38 грн
25+14.74 грн
100+13.97 грн
500+12.34 грн
3000+11.10 грн
6000+10.81 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.