Продукція > WAYON > WMB080N10HG2
WMB080N10HG2

WMB080N10HG2 WAYON

Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 47A; Idm: 296A; 80.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 296A
Power dissipation: 80.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+66.12 грн
10+43.54 грн
25+41.14 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис WMB080N10HG2 WAYON

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 47A; Idm: 296A; 80.6W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 47A, Pulsed drain current: 296A, Power dissipation: 80.6W, Case: PDFN5060-8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 8mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 29nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції WMB080N10HG2 за ціною від 37.89 грн до 79.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
WMB080N10HG2 WMB080N10HG2 Виробник : WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 47A; Idm: 296A; 80.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 296A
Power dissipation: 80.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 98 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+79.35 грн
10+54.25 грн
25+49.37 грн
100+43.54 грн
500+40.57 грн
3000+37.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.