WMB080N10LG2 WAYON
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 46.8A; Idm: 296A; 84W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 46.8A
Power dissipation: 84W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 296A
Gate charge: 30.8nC
Kind of package: reel; tape
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 54.70 грн |
| 13+ | 34.71 грн |
| 25+ | 31.15 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
14-30 дні (днів)
Мінімальна партія:
9 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис WMB080N10LG2 WAYON
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 46.8A; Idm: 296A; 84W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 46.8A, Power dissipation: 84W, Case: PDFN5060-8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 11mΩ, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement, Pulsed drain current: 296A, Gate charge: 30.8nC, Kind of package: reel; tape.