WMB090DNV6LG4 WAYON
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 65V; 40A; Idm: 160A; 27.8W
Polarisation: unipolar
Case: PDFN5060-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 160A
Drain current: 40A
Drain-source voltage: 65V
Gate charge: 22.1nC
On-state resistance: 10.5mΩ
Power dissipation: 27.8W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 65V; 40A; Idm: 160A; 27.8W
Polarisation: unipolar
Case: PDFN5060-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 160A
Drain current: 40A
Drain-source voltage: 65V
Gate charge: 22.1nC
On-state resistance: 10.5mΩ
Power dissipation: 27.8W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 68.70 грн |
| 10+ | 40.51 грн |
| 25+ | 36.44 грн |
| 34+ | 28.47 грн |
| 91+ | 26.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис WMB090DNV6LG4 WAYON
Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 65V; 40A; Idm: 160A; 27.8W, Polarisation: unipolar, Case: PDFN5060-8, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: N-MOSFET x2, Mounting: SMD, Pulsed drain current: 160A, Drain current: 40A, Drain-source voltage: 65V, Gate charge: 22.1nC, On-state resistance: 10.5mΩ, Power dissipation: 27.8W, Gate-source voltage: ±20V, Kind of package: reel; tape, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції WMB090DNV6LG4 за ціною від 31.10 грн до 82.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
WMB090DNV6LG4 | Виробник : WAYON |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 65V; 40A; Idm: 160A; 27.8W Polarisation: unipolar Case: PDFN5060-8 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET x2 Mounting: SMD Pulsed drain current: 160A Drain current: 40A Drain-source voltage: 65V Gate charge: 22.1nC On-state resistance: 10.5mΩ Power dissipation: 27.8W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 99 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|