Продукція > WAYON > WMB119N10LG2
WMB119N10LG2

WMB119N10LG2 WAYON

Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; Idm: 148A; 75W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PDFN5060-8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
On-state resistance: 13mΩ
Power dissipation: 75W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 50A
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 148A
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+51.52 грн
13+31.26 грн
25+28.15 грн
100+24.88 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис WMB119N10LG2 WAYON

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; Idm: 148A; 75W, Polarisation: unipolar, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: N-MOSFET, Case: PDFN5060-8, Kind of package: reel; tape, Mounting: SMD, Gate charge: 21nC, On-state resistance: 13mΩ, Power dissipation: 75W, Gate-source voltage: ±20V, Drain current: 50A, Drain-source voltage: 100V, Pulsed drain current: 148A, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції WMB119N10LG2 за ціною від 25.93 грн до 61.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
WMB119N10LG2 WMB119N10LG2 Виробник : WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; Idm: 148A; 75W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PDFN5060-8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
On-state resistance: 13mΩ
Power dissipation: 75W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 50A
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 148A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+61.83 грн
10+38.95 грн
25+33.78 грн
100+29.85 грн
500+27.65 грн
3000+25.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.