Продукція > WAYON > WMB119N12HG4
WMB119N12HG4

WMB119N12HG4 WAYON

Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 65A; Idm: 260A; 96.1W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PDFN5060-8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 23.7nC
On-state resistance: 12mΩ
Power dissipation: 96.1W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 65A
Drain-source voltage: 120V
Pulsed drain current: 260A
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+64.40 грн
10+41.14 грн
25+38.83 грн
100+34.45 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис WMB119N12HG4 WAYON

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 65A; Idm: 260A; 96.1W, Polarisation: unipolar, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: N-MOSFET, Case: PDFN5060-8, Kind of package: reel; tape, Mounting: SMD, Gate charge: 23.7nC, On-state resistance: 12mΩ, Power dissipation: 96.1W, Gate-source voltage: ±20V, Drain current: 65A, Drain-source voltage: 120V, Pulsed drain current: 260A, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції WMB119N12HG4 за ціною від 35.79 грн до 77.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
WMB119N12HG4 WMB119N12HG4 Виробник : WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 65A; Idm: 260A; 96.1W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PDFN5060-8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 23.7nC
On-state resistance: 12mΩ
Power dissipation: 96.1W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 65A
Drain-source voltage: 120V
Pulsed drain current: 260A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+77.28 грн
10+51.27 грн
25+46.60 грн
100+41.34 грн
500+38.27 грн
3000+35.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.