WMB128N10T2 WAYON
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 128A; Idm: 512A; 127.5W
Pulsed drain current: 512A
Power dissipation: 127.5W
Gate charge: 72nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 128A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: PDFN5060-8
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 90.25 грн |
| 10+ | 77.88 грн |
| 25+ | 70.26 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
14-30 дні (днів)
Мінімальна партія:
6 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис WMB128N10T2 WAYON
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 128A; Idm: 512A; 127.5W, Pulsed drain current: 512A, Power dissipation: 127.5W, Gate charge: 72nC, Polarisation: unipolar, Drain current: 128A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 100V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, Kind of package: reel; tape, Case: PDFN5060-8, On-state resistance: 4.2mΩ, Mounting: SMD.