Продукція > WAYON > WMB128N10T2
WMB128N10T2

WMB128N10T2 WAYON

Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 128A; Idm: 512A; 127.5W
Case: PDFN5060-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 72nC
On-state resistance: 4.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 127.5W
Drain current: 128A
Pulsed drain current: 512A
Kind of package: reel; tape
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+85.87 грн
10+74.16 грн
16+59.01 грн
44+55.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис WMB128N10T2 WAYON

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 128A; Idm: 512A; 127.5W, Case: PDFN5060-8, Kind of channel: enhancement, Mounting: SMD, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Gate charge: 72nC, On-state resistance: 4.2mΩ, Gate-source voltage: ±20V, Drain-source voltage: 100V, Power dissipation: 127.5W, Drain current: 128A, Pulsed drain current: 512A, Kind of package: reel; tape, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції WMB128N10T2 за ціною від 65.07 грн до 103.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
WMB128N10T2 WMB128N10T2 Виробник : WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 128A; Idm: 512A; 127.5W
Case: PDFN5060-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 72nC
On-state resistance: 4.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 127.5W
Drain current: 128A
Pulsed drain current: 512A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 98 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+103.05 грн
10+92.41 грн
16+70.81 грн
44+66.98 грн
6000+65.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.