Продукція > WAYON > WMB175N10HG4
WMB175N10HG4

WMB175N10HG4 WAYON

WMB175N10HG4.pdf
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 29A; Idm: 184A; 71.4W; 30ns
Pulsed drain current: 184A
Power dissipation: 71.4W
Gate charge: 17nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 29A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: PDFN5060-8
On-state resistance: 17.5mΩ
Reverse recovery time: 30ns
Mounting: SMD
на замовлення 1766 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+60.94 грн
11+39.44 грн
25+23.65 грн
100+21.28 грн
250+19.68 грн
500+18.84 грн
1000+16.89 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис WMB175N10HG4 WAYON

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 29A; Idm: 184A; 71.4W; 30ns, Pulsed drain current: 184A, Power dissipation: 71.4W, Gate charge: 17nC, Polarisation: unipolar, Drain current: 29A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 100V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, Kind of package: reel; tape, Case: PDFN5060-8, On-state resistance: 17.5mΩ, Reverse recovery time: 30ns, Mounting: SMD.