Продукція > WAYON > WMB175N10LG4
WMB175N10LG4

WMB175N10LG4 WAYON


Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 46A; Idm: 184A; 71.4W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 46A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: PDFN5060-8
On-state resistance: 17mΩ
Pulsed drain current: 184A
Power dissipation: 71.4W
Gate charge: 22.7nC
на замовлення 3443 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+43.76 грн
18+23.87 грн
25+21.59 грн
100+19.05 грн
500+17.69 грн
3000+16.59 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 14-30 дні (днів)
Мінімальна партія: 11 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис WMB175N10LG4 WAYON

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 46A; Idm: 184A; 71.4W, Mounting: SMD, Polarisation: unipolar, Drain current: 46A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 100V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, Kind of package: reel; tape, Case: PDFN5060-8, On-state resistance: 17mΩ, Pulsed drain current: 184A, Power dissipation: 71.4W, Gate charge: 22.7nC.