WMB340N20HG2 WAYON
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 40A; Idm: 160A; 108.6W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 108.6W
Gate charge: 23nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 40A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 200V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: PDFN5060-8
On-state resistance: 34mΩ
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 144.04 грн |
| 10+ | 126.98 грн |
| 25+ | 112.59 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
14-30 дні (днів)
Мінімальна партія:
4 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис WMB340N20HG2 WAYON
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 40A; Idm: 160A; 108.6W, Mounting: SMD, Pulsed drain current: 160A, Power dissipation: 108.6W, Gate charge: 23nC, Polarisation: unipolar, Drain current: 40A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 200V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, Kind of package: reel; tape, Case: PDFN5060-8, On-state resistance: 34mΩ.