Продукція > WAYON > WMB510N15HG2
WMB510N15HG2

WMB510N15HG2 WAYON

Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 28A; Idm: 112A; 80.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 112A
Power dissipation: 80.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+67.19 грн
10+44.59 грн
25+42.09 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис WMB510N15HG2 WAYON

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 28A; Idm: 112A; 80.6W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 150V, Drain current: 28A, Pulsed drain current: 112A, Power dissipation: 80.6W, Case: PDFN5060-8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 51mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 12nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції WMB510N15HG2 за ціною від 39.03 грн до 80.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
WMB510N15HG2 WMB510N15HG2 Виробник : WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 28A; Idm: 112A; 80.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 112A
Power dissipation: 80.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+80.62 грн
10+55.56 грн
25+50.51 грн
100+44.52 грн
500+41.53 грн
3000+39.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.