WMJ020N10HGS WAYON
Виробник: WAYONCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 288A; Idm: 1152A; 347.2W
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 250nC
On-state resistance: 2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 347.2W
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 288A
Pulsed drain current: 1152A
Case: TO247-3
Kind of package: tube
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 181.09 грн |
| 10+ | 159.36 грн |
| 30+ | 144.07 грн |
| 90+ | 139.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис WMJ020N10HGS WAYON
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 288A; Idm: 1152A; 347.2W, Mounting: THT, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Gate charge: 250nC, On-state resistance: 2mΩ, Gate-source voltage: ±20V, Power dissipation: 347.2W, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 288A, Pulsed drain current: 1152A, Case: TO247-3, Kind of package: tube, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції WMJ020N10HGS за ціною від 167.09 грн до 247.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
WMJ020N10HGS | Виробник : WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 288A; Idm: 1152A; 347.2W Mounting: THT Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 250nC On-state resistance: 2mΩ Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 347.2W Drain-source voltage: 100V Drain current: 288A Pulsed drain current: 1152A Case: TO247-3 Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 213 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|