Продукція > WAYON > WMJ028N10HGS
WMJ028N10HGS

WMJ028N10HGS WAYON

Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 228A; Idm: 912A; 320.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 228A
Pulsed drain current: 912A
Power dissipation: 320.5W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+141.93 грн
10+125.19 грн
30+112.43 грн
90+109.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис WMJ028N10HGS WAYON

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 228A; Idm: 912A; 320.5W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 228A, Pulsed drain current: 912A, Power dissipation: 320.5W, Case: TO247-3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 3mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 145nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції WMJ028N10HGS за ціною від 131.09 грн до 194.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
WMJ028N10HGS WMJ028N10HGS Виробник : WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 228A; Idm: 912A; 320.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 228A
Pulsed drain current: 912A
Power dissipation: 320.5W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 262 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+194.76 грн
3+176.87 грн
10+150.23 грн
30+134.92 грн
90+131.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.