WMJ10N80D1 WAYON
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 10A; Idm: 40A; 215W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 215W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 910mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 40A
Technology: WMOS™ D1
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 123.81 грн |
| 5+ | 91.81 грн |
| 10+ | 68.65 грн |
| 19+ | 50.45 грн |
| 52+ | 47.97 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
14-30 дні (днів)
Мінімальна партія:
4 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис WMJ10N80D1 WAYON
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 10A; Idm: 40A; 215W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 800V, Drain current: 10A, Power dissipation: 215W, Case: TO247-3, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 910mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 33nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Pulsed drain current: 40A, Technology: WMOS™ D1.