WMJ10N80D1 WAYON
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 10A; Idm: 40A; 215W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 215W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 910mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 10A; Idm: 40A; 215W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 215W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 910mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 103 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 102.61 грн |
| 10+ | 73.9 грн |
| 19+ | 53.14 грн |
| 50+ | 50.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис WMJ10N80D1 WAYON
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 10A; Idm: 40A; 215W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: WMOS™ D1, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 800V, Drain current: 10A, Pulsed drain current: 40A, Power dissipation: 215W, Case: TO247-3, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 910mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 33nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції WMJ10N80D1 за ціною від 42.21 грн до 111.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
WMJ10N80D1 | Виробник : WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 10A; Idm: 40A; 215W Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ D1 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 10A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 215W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 910mΩ Mounting: THT Gate charge: 33nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 103 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|