Продукція > WAYON > WMJ36N60F2
WMJ36N60F2

WMJ36N60F2 WAYON


Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 23 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+412.19 грн
3+306.99 грн
10+229.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис WMJ36N60F2 WAYON

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 20A; Idm: 100A; 277W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: WMOS™ F2, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 20A, Pulsed drain current: 100A, Power dissipation: 277W, Case: TO247-3, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.11Ω, Mounting: THT, Gate charge: 46nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції WMJ36N60F2 за ціною від 215.29 грн до 494.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
WMJ36N60F2 WMJ36N60F2 Виробник : WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+494.62 грн
3+382.56 грн
10+275.58 грн
30+247.83 грн
120+230.60 грн
300+219.12 грн
900+215.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.