Продукція > WAYON > WMJ36N60F2
WMJ36N60F2

WMJ36N60F2 WAYON

Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+429.25 грн
3+318.87 грн
10+239.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис WMJ36N60F2 WAYON

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 20A; Idm: 100A; 277W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: WMOS™ F2, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 20A, Pulsed drain current: 100A, Power dissipation: 277W, Case: TO247-3, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.11Ω, Mounting: THT, Gate charge: 46nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції WMJ36N60F2 за ціною від 218.94 грн до 515.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
WMJ36N60F2 WMJ36N60F2 Виробник : WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+515.10 грн
3+397.37 грн
10+286.99 грн
30+258.39 грн
120+239.65 грн
300+227.81 грн
900+218.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.