Продукція > WAYON > WMJ4N150D1
WMJ4N150D1

WMJ4N150D1 WAYON


Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 4A; Idm: 16A; 125W
Mounting: THT
Drain current: 4A
On-state resistance: 5.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 41nC
Technology: WMOS™ D1
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 16A
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 1.5kV
на замовлення 268 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+167.61 грн
4+124.20 грн
10+93.54 грн
13+72.32 грн
35+68.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис WMJ4N150D1 WAYON

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 4A; Idm: 16A; 125W, Mounting: THT, Drain current: 4A, On-state resistance: 5.4Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 125W, Polarisation: unipolar, Kind of package: tube, Gate charge: 41nC, Technology: WMOS™ D1, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±30V, Pulsed drain current: 16A, Case: TO247-3, Drain-source voltage: 1.5kV.