WMJ53N60F2 WAYON
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 26A; Idm: 90A; 350W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 90A
Gate charge: 58nC
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 309.08 грн |
| 3+ | 265.50 грн |
| 4+ | 255.58 грн |
| 10+ | 253.09 грн |
| 11+ | 241.52 грн |
| 30+ | 232.42 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
14-30 дні (днів)
Мінімальна партія:
2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис WMJ53N60F2 WAYON
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 26A; Idm: 90A; 350W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: WMOS™ F2, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 26A, Power dissipation: 350W, Case: TO247-3, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 78mΩ, Mounting: THT, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Pulsed drain current: 90A, Gate charge: 58nC.