Продукція > WAYON > WMJ60N60EM
WMJ60N60EM

WMJ60N60EM WAYON

Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 600V; 36A; Idm: 240A; 403W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 403W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1186.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис WMJ60N60EM WAYON

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 600V; 36A; Idm: 240A; 403W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: WMOS™ EM, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 36A, Pulsed drain current: 240A, Power dissipation: 403W, Case: TO247-3, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 60mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 96nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції WMJ60N60EM за ціною від 595.42 грн до 1423.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
WMJ60N60EM WMJ60N60EM Виробник : WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 600V; 36A; Idm: 240A; 403W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 403W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1423.71 грн
3+1096.52 грн
10+797.36 грн
30+714.32 грн
120+661.48 грн
300+630.34 грн
900+595.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.