Продукція > WAYON > WMJ80N60F2
WMJ80N60F2

WMJ80N60F2 WAYON

Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1041.22 грн
3+768.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис WMJ80N60F2 WAYON

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 45A; Idm: 245A; 410W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: WMOS™ F2, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 45A, Pulsed drain current: 245A, Power dissipation: 410W, Case: TO247-3, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 44mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 103nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції WMJ80N60F2 за ціною від 527.46 грн до 1249.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
WMJ80N60F2 WMJ80N60F2 Виробник : WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1249.47 грн
3+957.54 грн
10+692.79 грн
30+623.90 грн
120+577.65 грн
300+551.08 грн
900+527.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.