Продукція > WAYON > WMJ80R350S
WMJ80R350S

WMJ80R350S WAYON

Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ S; unipolar; 800V; 8.4A; Idm: 56A; 183W
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Technology: WMOS™ S
Gate charge: 31nC
On-state resistance: 0.33Ω
Drain current: 8.4A
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 183W
Drain-source voltage: 800V
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+386.16 грн
3+287.02 грн
6+176.14 грн
15+166.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис WMJ80R350S WAYON

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ S; unipolar; 800V; 8.4A; Idm: 56A; 183W, Kind of package: tube, Case: TO247-3, Kind of channel: enhancement, Mounting: THT, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Technology: WMOS™ S, Gate charge: 31nC, On-state resistance: 0.33Ω, Drain current: 8.4A, Gate-source voltage: ±30V, Pulsed drain current: 56A, Power dissipation: 183W, Drain-source voltage: 800V, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції WMJ80R350S за ціною від 192.50 грн до 463.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
WMJ80R350S WMJ80R350S Виробник : WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ S; unipolar; 800V; 8.4A; Idm: 56A; 183W
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Technology: WMOS™ S
Gate charge: 31nC
On-state resistance: 0.33Ω
Drain current: 8.4A
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 183W
Drain-source voltage: 800V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 298 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+463.39 грн
3+357.67 грн
6+211.37 грн
15+200.05 грн
900+192.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.