Продукція > WAYON > WMJ90N60F2
WMJ90N60F2

WMJ90N60F2 WAYON

Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 50A; Idm: 295A; 430W
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 295A
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Gate charge: 142nC
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 430W
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ F2
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1086.28 грн
3+802.17 грн
10+603.62 грн
30+543.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис WMJ90N60F2 WAYON

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 50A; Idm: 295A; 430W, Mounting: THT, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Pulsed drain current: 295A, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 50A, Gate charge: 142nC, On-state resistance: 33mΩ, Power dissipation: 430W, Gate-source voltage: ±30V, Kind of package: tube, Case: TO247-3, Kind of channel: enhancement, Technology: WMOS™ F2, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції WMJ90N60F2 за ціною від 544.45 грн до 1303.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
WMJ90N60F2 WMJ90N60F2 Виробник : WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 50A; Idm: 295A; 430W
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 295A
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Gate charge: 142nC
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 430W
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ F2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1303.54 грн
3+999.62 грн
10+724.34 грн
30+652.58 грн
120+603.78 грн
300+576.03 грн
900+544.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.