WMJ90N60F2 WAYON
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 50A; Idm: 295A; 430W
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 295A
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Gate charge: 142nC
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 430W
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ F2
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 50A; Idm: 295A; 430W
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 295A
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Gate charge: 142nC
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 430W
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ F2
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1096.46 грн |
| 3+ | 809.68 грн |
| 10+ | 609.27 грн |
| 30+ | 548.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис WMJ90N60F2 WAYON
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 50A; Idm: 295A; 430W, Mounting: THT, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Pulsed drain current: 295A, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 50A, Gate charge: 142nC, On-state resistance: 33mΩ, Power dissipation: 430W, Gate-source voltage: ±30V, Kind of package: tube, Case: TO247-3, Kind of channel: enhancement, Technology: WMOS™ F2, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції WMJ90N60F2 за ціною від 549.55 грн до 1315.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
WMJ90N60F2 | Виробник : WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 50A; Idm: 295A; 430W Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Pulsed drain current: 295A Drain-source voltage: 600V Drain current: 50A Gate charge: 142nC On-state resistance: 33mΩ Power dissipation: 430W Gate-source voltage: ±30V Kind of package: tube Case: TO247-3 Kind of channel: enhancement Technology: WMOS™ F2 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|