Продукція > WAYON > WMJ90N65F2
WMJ90N65F2

WMJ90N65F2 WAYON

Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 50A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1314.02 грн
3+974.68 грн
10+730.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис WMJ90N65F2 WAYON

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 50A; Idm: 295A; 430W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: WMOS™ F2, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 50A, Pulsed drain current: 295A, Power dissipation: 430W, Case: TO247-3, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 33mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 142nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції WMJ90N65F2 за ціною від 625.85 грн до 1576.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
WMJ90N65F2 WMJ90N65F2 Виробник : WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 50A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1576.82 грн
3+1214.60 грн
10+876.00 грн
30+787.15 грн
120+730.16 грн
300+696.36 грн
900+625.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.