Продукція > WAYON > WMJ90N65SR
WMJ90N65SR

WMJ90N65SR WAYON

Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ SR; unipolar; 650V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 183nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ SR
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+559.40 грн
3+481.09 грн
10+459.41 грн
30+412.72 грн
120+402.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис WMJ90N65SR WAYON

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ SR; unipolar; 650V; 60A; Idm: 350A; 460W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 60A, Pulsed drain current: 350A, Power dissipation: 460W, Case: TO247-3, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 33mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 183nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Technology: WMOS™ SR, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції WMJ90N65SR за ціною від 483.26 грн до 671.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
WMJ90N65SR WMJ90N65SR Виробник : WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ SR; unipolar; 650V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 183nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ SR
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 170 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+671.28 грн
3+599.51 грн
10+551.30 грн
30+495.27 грн
120+483.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.